SSD 와 NAND Flash Memory 개념

SSD 와 NAND Flash Memory 개념에 대해 알아 봅시다.

아이폰6가 나오면서 내 아이폰6는 메모리가 MLC냐 TLC냐가 이슈였습니다.

저도 아이폰6를 사용중인데요... TLC였습니다... ㅠㅠ

확인 방법은 인터넷에 많이 나오더라고요. 중국 어플 이었던거 같은데.. 찝찝한 분들은 그냥 하지 마시고 MLC든 TLC든 신경 쓰지 마시고 사용 하시는게 정신건강에는 더 좋을꺼 같습니다. ^^

속상한 마음을 뒤로 하고... 메모리에 관해 알아 보시죠.

우리가 현재 많이 사용하는 저장장치. 즉 HDD가 있습니다. 요즘은 HDD 보다는 SSD를 더 선호를 하죠.

물론 고가이기(용량대비) 때문에 128G SSD 1개와 2T 또는 1T HDD를 같이 많이 사용 합니다. 

SSD에는 OS와 설치 프로그램들을 설치 하고 HDD에는 데이터 저장용으로...

그럼 도데체 MLC TLC SSD 이게 뭐냐???

SSD 는 NAND Falsh Memory 를 사용합니다.

NAND Falsh Memory 에는 크게 3가지가 있는데

SLC ( Single Level Cell ) : 셀당 1바이트를 기록, 속도와 수명이 가장 높다. 가격 또한 비싸다. 초기 SSD에 사용됬었다.

MLC ( Multi Level Cell) : 셀당 2바이트를 기록, 속도와 수명은 보통. 가격 또한 적당. 현재 대부분 SSD에 사용된다.

TLC ( Triple Level Cell) :  셀당 3바이트를 기록 , 속도와 수명이 매우 낮다. 주로 USB에 많이 사용된다.

NAND Falsh Memory 의 기록 방식을 보면 이해가 빠른데

이런 방식으로 기록이 됩니다.

NAND Falsh Memory 는 셀마다 플로팅 게이트(FG) 라는곳에 전자를 채우고 비우는 방식으로 기록 됩니다.

SLC 상에서는 가득차고 비우고로 구분을 하기때문에 간단하지만 MLC 부터 TLC 는 채워진 전자의 양에 따락 구분하므로 읽고 , 쓰기 속도가 떨어집니다.

또한 NAND Falsh Memory 는 덮어쓰기 기능이 존재하지 않습니다. 말했듯이 전자를 채우고 비우는 방식으로 기록하기 때문에 일단 지우고 다시 채우는 방식을 택하기때문에, 덮어쓰기가 불가능 합니다ㅏ.

그러므로 MLC 와 TLC 처럼 전자의 채워진 양을 구분해서 기록하고 쓰기때문에 이 작업은 더뎌 질 수 밖에 없죠.

정확한 전자량을 측정하기 매우 힘들기때문에 , 전자의량을 세부화 시킨 TLC 는 오류량도 그만큼 많고, 그 많은 오류를 측정하기 때문에, 속도가 더욱 떨어지게 된다고 합니다.

어렵네요 ^^;;